三星宣布：12nm级工艺DDR5DRAM内存芯片开始量产
三星电子官方宣布，采用12nm级工艺的DDR5 DRAM内存芯片已经开始量产。
新内存单颗容量16Gb(2GB)，最高速度7.2Gbps(等效频率7200MHz)，相当于每秒可处理两部30GB的超高清电影。
对比上一代产品，12nm DDR5的功耗降低了多达23%，同时晶圆生产率提高了20%，特别有助于服务器和数据中心节能减排。
三星透露，12nm级工艺的开发基于一种新型高K材料，可提高电池电容，使数据信号出现明显的电位差，从而更易于准确地区分。
同时，三星还在降低工作电压、噪声方面取得了新的成果。
值得一提的是，三星还在去年12月完成了16Gb DDR5 DRAM与AMD处理器平台的兼容性评估。
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